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Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
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Page(s) | 275 - 279 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20030643 |
J. Phys. IV France 108 (2003) 275
DOI: 10.1051/jp4:20030643
Développement d'une source plasma-laser pour la lithographie dans l'extrême ultraviolet
G. Soullié, C. Lafon, R. Rosch, D. Babonneau, F. Garaude, S. Huelvan, T. Trublet, L. Bonnet and R. MarmoretCEA/DAM Ile de France, BP. 12, 91680 Bruyères-le-Châtel, France
Résumé
Cet article présente notre rôle au sein du projet PREUVE (PRogramme Extrême UV), en
particulier, le développement et la caractérisation d'une source EUV plasma-laser. Cette souce est basée
sur l'utilisation du rayonnement EUV émis en face arrière d'une cible irradiée par laser. Le laser utilisé
possède les caractéristiques suivantes : énergie de 2 J, durée d'impulsion de 7 ns et taux de répétition de
10 Hz. La cible est composée d'étain supporté par un film de mylar. Nous présentons ici les diagnostics
développés pour la caractérisation de cette source ainsi que les derniers résultats obtenus.
© EDP Sciences 2003