J. Phys. IV France 122 (2004) 87-92
DOI: 10.1051/jp4:2004122013
Caractérisation par ellipsométrie spectroscopique de films minces de tellurure de bismuth obtenus par voie électrochimique
A. Zimmer1, N. Stein1, C. Boulanger1 and L. Johann21 Laboratoire d'Électrochimie des Matériaux UMR CNRS 7555, Université de Metz, 1 Boulevard Arago, CP 87811, 57078 Metz Cedex 3, France
2 Laboratoire de Physique des Liquides et des Interfaces, Université de Metz, 1 Boulevard Arago, CP 87811, 57078 Metz Cedex 3, France
Résumé
Des films de tellurure de bismuth (Bi2Te3) d'épaisseur proche de 1 mm ont été développés par voie électrochimique. Leurs indices optiques ont été déterminés par ellipsométrie spectroscopique (SE). Le domaine spectral des indices optiques s'étend de 400 nm à 1300 nm. L'ellipsométrie spectroscopique à angle d'incidence variable (VASE) a été utilisée pour corréler les données SE. Cette partie a été complétée par des analyses par microscopie à force atomique (AFM) qui ont permis de déterminer la rugosité des films. A partir de ces résultats et en associant l'absorption fondamentale des films de Bi2Te3 à une transition indirecte, l'énergie de bande interdite a été évaluée à 0,3 eV. Par ailleurs des mesures associant ellipsométrie spectroscopique à temps réel et électrochimie ont pu être réalisées. Ainsi les premiers instants de croissance ont été observés.
© EDP Sciences 2004