J. Phys. IV France 118 (2004) 277-281
DOI: 10.1051/jp4:2004118032
Étude de la contribution de la diffusion simple et multiple à l'amplitude des atomes voisins du silicium dans SiO 2 : application à un granulat soumis à la réaction alcali-silice
F. Boinski1, L. Khouchaf1, J. Verstraete1 and M.H. Tuilier21 Laboratoire Analyse Physique, Centre de Recherche de l'École des Mines de Douai, 941, rue Charles Bourseul BP.838 59508 Douai, France
2 Équipe de Recherche Technologique, Université de Haute-Alsace, 61 rue Albert Camus, 68093 Mulhouse Cedex France
Abstract
Les amplitudes des différentes distributions lointaines de la transformée de Fourier d'un spectre EXAFS contiennent des informations
précieuses pour la caractérisation de l'ordre local autour d'un atome donné. Ces informations sont souvent nécessaires pour
la proposition de modèles. Or souvent dans cette zone, les distances inter atomiques correspondent à des libres parcours moyens
du photoélectron assez importants. La contribution due à la diffusion multiple perturbe le signal propre de la diffusion simple
des atomes diffuseurs. Afin de mieux évaluer l'influence de la diffusion multiple dans nos échantillons constitués de granulats
à base de SiO
2 attaqués par la réaction alcali-silice, nous avons calculé les différents parcours de diffusion simple et multiple dans ce
composé. Les calculs montrent que lorsque la contribution de la diffusion multiple n'est pas atténuée, l'exploitation des
voisins lointains est difficile voir impossible. La modélisation des spectres TF expérimentaux a pu être réalisée uniquement
en négligeant la contribution de la diffusion multiple. Ce résultat va nous permettre l'exploitation des voisins lointains
en particulier les atomes silicium dans le granulat brut et après dégradation en se basant sur le formalisme de la diffusion
simple.
© EDP Sciences 2004