Numéro
J. Phys. IV France
Volume 118, November 2004
Page(s) 277 - 281
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:2004118032


J. Phys. IV France 118 (2004) 277-281

DOI: 10.1051/jp4:2004118032

Étude de la contribution de la diffusion simple et multiple à l'amplitude des atomes voisins du silicium dans SiO2 : application à un granulat soumis à la réaction alcali-silice

F. Boinski1, L. Khouchaf1, J. Verstraete1 et M.H. Tuilier2

1  Laboratoire Analyse Physique, Centre de Recherche de l'École des Mines de Douai, 941, rue Charles Bourseul BP.838 59508 Douai, France
2  Équipe de Recherche Technologique, Université de Haute-Alsace, 61 rue Albert Camus, 68093 Mulhouse Cedex France


Abstract
Les amplitudes des différentes distributions lointaines de la transformée de Fourier d'un spectre EXAFS contiennent des informations précieuses pour la caractérisation de l'ordre local autour d'un atome donné. Ces informations sont souvent nécessaires pour la proposition de modèles. Or souvent dans cette zone, les distances inter atomiques correspondent à des libres parcours moyens du photoélectron assez importants. La contribution due à la diffusion multiple perturbe le signal propre de la diffusion simple des atomes diffuseurs. Afin de mieux évaluer l'influence de la diffusion multiple dans nos échantillons constitués de granulats à base de SiO2 attaqués par la réaction alcali-silice, nous avons calculé les différents parcours de diffusion simple et multiple dans ce composé. Les calculs montrent que lorsque la contribution de la diffusion multiple n'est pas atténuée, l'exploitation des voisins lointains est difficile voir impossible. La modélisation des spectres TF expérimentaux a pu être réalisée uniquement en négligeant la contribution de la diffusion multiple. Ce résultat va nous permettre l'exploitation des voisins lointains en particulier les atomes silicium dans le granulat brut et après dégradation en se basant sur le formalisme de la diffusion simple.



© EDP Sciences 2004