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Issue J. Phys. IV France
Volume 11, Number PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents
Page(s) Pr7-133 - Pr7-134
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2001743

5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents

J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-133-Pr7-134

DOI: 10.1051/jp4:2001743

Applications des plasmas produits par le laser à excimères HERCULES-L : du recuit du silicium à la lithographie par rayons X

S. Bollanti1, F. Bonfigli1, P. Di Lazzaro1, A. Faenov2, F. Flora1, G. Giordano1, T. Letardi1, T. Limongi3, L. Mezi1, D. Murra1, T. Pikuz2, L. Palladino3, A. Reale1, L. Reale3, A. Ritucci3, A. Scafati3, G. Tomassetti3, A. Vitali1 and C.E. Zheng4

1  ENEA, via E. Fermi 45, 00044 Frascati, Italie
2  MISDC of NPO, VNIIFTRI, Institute of Moscow, Russie
3  INFM of L'Aquila, Department of Physics and Department of Biology, Italie
4  EL.EN, Firenze, Italie


Résumé
Un laser à excimères de grand volume, HERCULES-L, a été développé dans le cadre d'un programme européen pour des applications industrielles concernant le traitement de surface du silicium et la génération de plasmas par laser. Les performances de ce laser sont particulièrement adaptées pour le traitement de grandes surfaces et pour la création de photons EUV (hv ~ 100 eV) par plasma assisté par laser.



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