Journal de Physique IV

Growth of porous columnar α-GaN layers on c-plane Al₂O₃ by MOCVD using Bisazido dimethylaminopropyl gallium as single source precursor

A. Wohlfart, A. Devi, F. Hipler, H.W. Becker et R.A. Fischer

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-683-Pr3-687

DOI: 10.1051/jp4:2001387

A. Wohlfart

A. Devi

F. Hipler

H.W. Becker

R.A. Fischer

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