Journal de Physique IV

Random telegraph noise in ultimate MOSFETs at very low temperature in the subthreshold regime

X. Jehl, M. Sanquer, G. Bertrand, G. Guégan et S. Deleonibus1

J. Phys. IV France, 12 3 (2002) 107-110

DOI: 10.1051/jp420020046

X. Jehl

M. Sanquer

G. Bertrand

G. Guégan

S. Deleonibus1

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