Journal de Physique IV

Growth of InP in a Novel Remote-Plasma MOCVD Apparatus : an Approach to Improve Process and Material Properties

G. Bruno, P. Capezzuto et M. Losurdo

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-481-C5-488

DOI: 10.1051/jphyscol:1995555

G. Bruno

P. Capezzuto

M. Losurdo

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