Journal de Physique IV

Low-Temperature Epitaxial Growth Mechanism of Si_1-xGe_x Films in the Silane and Germane Reactions

J. Murota, Y. Takasawa, H. Fujimoto, K. Goto, T. Matsuura et Y. Sawada

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-1165-C5-1172

DOI: 10.1051/jphyscol:19955138

J. Murota

Y. Takasawa

H. Fujimoto

K. Goto

T. Matsuura

Y. Sawada

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