Journal de Physique IV

LPCVD SiO₂ Layers Prepared from SiH₄ and O₂ at 450 °C in a Rapid Thermal Processing Reactor

C. Cobianu, J.B. Rem, J.H. Klootwijk, M.H.H. Weusthof, J. Holleman et P.H. Woerlee

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-1005-C5-1011

DOI: 10.1051/jphyscol:19955118

C. Cobianu

J.B. Rem

J.H. Klootwijk

M.H.H. Weusthof

J. Holleman

P.H. Woerlee

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