Journal de Physique IV

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The properties of GaInP/GaAs heterostructures as a function of growth temperature

C. Pelosi, G. Attolini, M. Bosi, E. Martín, O. Martinez, L.F. Sanz, J. Jiménez et T. Prutskij

J. Phys. IV France, 132 (2006) 315-319

Publié en ligne : 11 mars 2006

DOI: 10.1051/jp4:2006132060

C. Pelosi

G. Attolini

M. Bosi

E. Martín

O. Martinez

L.F. Sanz

J. Jiménez

T. Prutskij

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