Journal de Physique IV

Electronic properties of intrinsic and heavily doped AlN and GaN

A. Ferreira da Silva et C. Persson

J. Phys. IV France, 132 (2006) 105-110

Publié en ligne : 11 mars 2006

DOI: 10.1051/jp4:2006132021

A. Ferreira da Silva

C. Persson

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