Journal de Physique IV

High-performance In_0.49Ga_0.51P/InGaAs single and double delta-doped pseudomorphic high electron mobility transistors (δ-PHEMT's)

W.-C. Liu, K.-W. Lin, K.-H. Yu, W.-L. Chang, C.-C. Cheng, C.-K. Wang et H.-M. Chang

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-945-Pr3-950

DOI: 10.1051/jp4:20013118

W.-C. Liu

K.-W. Lin

K.-H. Yu

W.-L. Chang

C.-C. Cheng

C.-K. Wang

H.-M. Chang

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