Journal de Physique IV

Effect of TaSi₂ and WSi₂ deposition on interfacial defects and Fowler-Nordheim injection in polycide gate SiO₂ MOS capacitors

S. Croci, C. Plossu, B. Balland, J.L. Autran et P. Boivin

J. Phys. IV France, 11 PR11 (2001) Pr11-199-Pr11-203

DOI: 10.1051/jp4:20011132

S. Croci

C. Plossu

B. Balland

J.L. Autran

P. Boivin

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