Journal de Physique IV

Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al₂O₃(0001) par ablation laser réactive

D. Ohlmann, J.L. Deiss, J.L. Loison, M. Robino et G. Versini

J. Phys. IV France, 10 PR10 (2000) Pr10-275-Pr10-280

DOI: 10.1051/jp4:20001030

D. Ohlmann

J.L. Deiss

J.L. Loison

M. Robino

G. Versini

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