Journal de Physique IV

Si/Si_1-x Ge_x/Si heterostructure growth by ultraclean low-temperature LPCVD for the fabrication of novel heterodevice

J. MUROTA, T. MAEDA, K. GOTO, K. SAKAMOTO, K. AIZAWA, S. USHIODA et S. ONO

J. Phys. IV France, 03 C3 (1993) C3-403-C3-410

DOI: 10.1051/jp4:1993356

J. MUROTA

T. MAEDA

K. GOTO

K. SAKAMOTO

K. AIZAWA

S. USHIODA

S. ONO

articles ayant parmi leurs auteurs TOUS les auteurs sélectionnés (ET)

articles ayant parmi leurs auteurs AU MOINS un auteur identique à ceux sélectionnés (OU)