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Voltage Transfer Characteristics in GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates

Daisuke Nakata, Hiromu Shibata, Yuta Shiratori and Seiya Kasai
Japanese Journal of Applied Physics 49 (6) 06GG03 (2010)
DOI: 10.1143/JJAP.49.06GG03
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In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors

Masamichi Akazawa, Hideki Hasegawa and Rui Jia
physica status solidi (a) 204 (4) 1034 (2007)
DOI: 10.1002/pssa.200674161
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