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Article cité :

Room temperature SiO₂ films deposited by multipolar ECR PECVD

G. Isai, A. Kovalgin, J. Holleman, P. Woerlee, H. Wallinga

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-747-Pr3-753

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2001394

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Citations de cet article :

Conduction and trapping mechanisms in SiO[sub 2] films grown near room temperature by multipolar electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition

Gratiela I. Isai, Jisk Holleman, Hans Wallinga and Pierre H. Woerlee
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 22 (3) 1022 (2004)
DOI: 10.1116/1.1736645
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Low Hydrogen Content Silicon Nitride Films Deposited at Room Temperature with an ECR Plasma Source

Gratiela I. Isai, Jisk Holleman, Hans Wallinga and Pierre H. Woerlee
Journal of The Electrochemical Society 151 (10) C649 (2004)
DOI: 10.1149/1.1787498
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Low-Temperature SiO[sub 2] Layers Deposited by Combination of ECR Plasma and Supersonic Silane/Helium Jet

Alexey Y. Kovalgin, Gratiela Isai, Jisk Holleman and Jurriaan Schmitz
Journal of The Electrochemical Society 155 (2) G21 (2008)
DOI: 10.1149/1.2815627
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