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Article cité :

Growth of porous columnar α-GaN layers on c-plane Al₂O₃ by MOCVD using Bisazido dimethylaminopropyl gallium as single source precursor

A. Wohlfart, A. Devi, F. Hipler, H.W. Becker, R.A. Fischer

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-683-Pr3-687

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2001387

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Citations de cet article :

Chemical Vapor Deposition of Porous GaN Particles on Silicon

Joan J. Carvajal, Oleksandr V. Bilousov, Dominique Drouin, et al.
Microscopy and Microanalysis 18 (04) 905 (2012)
https://doi.org/10.1017/S1431927612001134

The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium: Chemical Patterns and Peculiarities

Simon Aldridge
The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium: Chemical Patterns and Peculiarities 75 (2011)
https://doi.org/10.1002/9780470976548.ch2

Azides of the heavier Group 13 elements

Jens Müller
Coordination Chemistry Reviews 235 (1-2) 105 (2002)
https://doi.org/10.1016/S0010-8545(02)00181-9