Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme strong>CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Citations de cet article :

A comprehensive study of SiC growth processes in a VPE reactor

Thierry Chassagne, Gabriel Ferro, Didier Chaussende, et al.
Thin Solid Films 402 (1-2) 83 (2002)
DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01597-8
Voir cet article

Shortcomings of CVD modeling of SiC today

Ö. Danielsson, P. Sukkaew, L. Ojamäe, O. Kordina and E. Janzén
Theoretical Chemistry Accounts 132 (11) (2013)
DOI: 10.1007/s00214-013-1398-9
Voir cet article

Effect of Reduced Pressure on 3C-SiC Heteroepitaxial Growth on Si by CVD

Y. Ishida, T. Takahashi, H. Okumura, K. Arai and S. Yoshida
Chemical Vapor Deposition 12 (8-9) 495 (2006)
DOI: 10.1002/cvde.200506464
Voir cet article

Single-Source CVD of 3C-SiC Films in a LPCVD Reactor

Gianluca Valente, Muthu B. J. Wijesundara, Roya Maboudian and Carlo Carraro
Journal of The Electrochemical Society 151 (3) C215 (2004)
DOI: 10.1149/1.1646142
Voir cet article

Classical and Dynamic Analysis of Gas Phase Reactivity

Stéphanie de Persis, Francis Teyssandier, Dominique Thévenin and Nasser Darabiha
Journal of The Electrochemical Society 151 (4) C236 (2004)
DOI: 10.1149/1.1648022
Voir cet article

Epitaxial silicon carbide simulations vs. experiments: etching, growth rates and aluminum/nitrogen doping

Jérôme Mézière, Elisabeth Blanquet, Michel Pons, et al.
MRS Proceedings 742 K1.4 (2002)
DOI: 10.1557/PROC-742-K1.4
Voir cet article

Simulation of SiC deposition from SiH4/C3H8/Ar/H2 mixtures in a cold-wall CVD reactor

A. Dollet, S. de Persis, M. Pons and M. Matecki
Surface and Coatings Technology 177-178 382 (2004)
DOI: 10.1016/j.surfcoat.2003.09.032
Voir cet article

Heat and mass transfer modeling for a better knowledge of the large-area growth of homoepitaxial SiC by CVD

Michel Pons, Jerome Mezière, Jean Marc Dedulle, et al.
MRS Proceedings 640 H5.6 (2000)
DOI: 10.1557/PROC-640-H5.6
Voir cet article

Contribution of numerical simulation to silicon carbide bulk growth and epitaxy

Jérôme Meziere, Michel Pons, Léa Di Cioccio, et al.
Journal of Physics: Condensed Matter 16 (17) S1579 (2004)
DOI: 10.1088/0953-8984/16/17/009
Voir cet article