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Citations de cet article :

A computational study of gas-phase and surface reactions in deposition and etching of GaAs and AlAs in the presence of HCl

Carlo Cavallotti, Istvan Lengyel, Maria Nemirovskaya and Klavs F. Jensen
Journal of Crystal Growth 268 (1-2) 76 (2004)
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.04.033
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Kinetics of phosphine adsorption and phosphorus desorption from gallium and indium phosphide ()

Y. Sun, D.C. Law and R.F. Hicks
Surface Science 540 (1) 12 (2003)
DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00834-3
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Metalorganic chemical-vapour-deposition (MOCVD) of InGaAs, BGaAs, and BInGaAs: Quantum chemical calculations on the mechanisms

Arndt Jenichen and Cornelia Engler
Journal of Crystal Growth 304 (1) 26 (2007)
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.02.019
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Surface and Thin Film Analysis

Karsten Hinrichs
Surface and Thin Film Analysis 367 (2011)
DOI: 10.1002/9783527636921.ch23
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Hydrogen adsorption on phosphorus-rich (2×1) indium phosphide (001)

Q. Fu, E. Negro, G. Chen, et al.
Physical Review B 65 (7) 075318 (2002)
DOI: 10.1103/PhysRevB.65.075318
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A multiscale study of the selective MOVPE of AlxGa1−xAs in the presence of HCl

Carlo Cavallotti, Maria Nemirovskaya and Klavs F Jensen
Journal of Crystal Growth 248 411 (2003)
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01885-7
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Effects of Surfactants N and Br on Ordering in GaInP

D.C. Chapman, A.D. Howard, L. Rieth, R.R. Wixom and G.B Stringfellow
MRS Proceedings 794 T10.4 (2003)
DOI: 10.1557/PROC-794-T10.4
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