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Article cité :

New developments in mid-infrared Sb-based lasers

A. Joullié

J. Phys. IV France, 09 PR2

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1999209

Citations de cet article :

Growth of room-temperature “arsenic free” infrared photovoltaic detectors on GaSb substrate using metamorphic InAlSb digital alloy buffer layers

E. Plis, P. Rotella, S. Raghavan, et al.
Applied Physics Letters 82 (11) 1658 (2003)
DOI: 10.1063/1.1556167
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GaSb-based mid-infrared 2–5 μm laser diodes

André Joullié and Philippe Christol
Comptes Rendus Physique 4 (6) 621 (2003)
DOI: 10.1016/S1631-0705(03)00098-7
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MBE growth of InAs/InAsSb/InAlAsSb “W” quantum well laser diodes emitting near 3μm

A. Wilk, B. Fraisse, P. Christol, et al.
Journal of Crystal Growth 227-228 586 (2001)
DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00777-1
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Quantitative theory of scattering in antimonide-based heterostructures with imperfect interfaces

M. J. Shaw, E. A. Corbin, M. R. Kitchin, J. P. Hagon and M. Jaros
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 18 (4) 2088 (2000)
DOI: 10.1116/1.1306330
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MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers

A. Wilk, F. Genty, B. Fraisse, et al.
Journal of Crystal Growth 223 (3) 341 (2001)
DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00600-5
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Room-temperature InAs[sub 0.89]Sb[sub 0.11] photodetectors for CO detection at 4.6 μm

H. H. Gao, A. Krier and V. V. Sherstnev
Applied Physics Letters 77 (6) 872 (2000)
DOI: 10.1063/1.1306656
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Type–I InSb–based mid–infrared diode lasers

Tim Ashley, A. R. Adams, C. T. Elliott, A. Krier and B. N. Murdin
Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 359 (1780) 475 (2001)
DOI: 10.1098/rsta.2000.0737
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Systematic study of type II Ga1-xInxSb/InAs superlattices for infra-red detection in the 10-12 µm wavelength range

E Corbin, M J Shaw, M R Kitchin, J P Hagon and M Jaros
Semiconductor Science and Technology 16 (4) 263 (2001)
DOI: 10.1088/0268-1242/16/4/314
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