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Citations de cet article :

Introduction of misfit dislocations into strained-layer GaAs/InxGa1–xAs/GaAs heterostructures by mechanical bending

X. W. Liu and A. A. Hopgood
Journal of Applied Physics 128 (12) 125708 (2020)
DOI: 10.1063/5.0016476
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SiGe nanostructures: new insights into growth processes

I Berbezier, A Ronda and A Portavoce
Journal of Physics: Condensed Matter 14 (35) 8283 (2002)
DOI: 10.1088/0953-8984/14/35/306
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