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Article cité :

Positron Spectroscopy of Defects in Semiconductors

P. Hautojärvi

J. Phys. IV France, 05 C1 (1995) C1-3-C1-14

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1995101

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Citations de cet article :

Positron annihilation study for enhanced nitrogen-vacancy center formation in diamond by electron irradiation at 77 K

Z. Tang, T. Chiba, Y. Nagai, et al.
Applied Physics Letters 104 (17) (2014)
https://doi.org/10.1063/1.4872243

Buried oxide and defects in oxygen implanted Si monitored by positron annihilation

A. C. Kruseman, A. van Veen, H. Schut, P. E. Mijnarends and M. Fujinami
Journal of Applied Physics 90 (3) 1179 (2001)
https://doi.org/10.1063/1.1380411