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Citations de cet article :

Determination of bandgap narrowing and parasitic energy barriers in SiGe HBT's integrated in a bipolar technology

B. Le Tron, M.D.R. Hashim, P. Ashburn, et al.
IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5) 715 (1997)
DOI: 10.1109/16.568031
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The influence of Ge grading on the bias and temperature characteristics of SiGe HBTs for precision analog circuits

S.L. Salmon, J.D. Cressler, R.C. Jaeger and D.L. Harame
IEEE Transactions on Electron Devices 47 (2) 292 (2000)
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Cryogenic Preamplifiers for Magnetic Resonance Imaging

Daniel H. Johansen, Juan D. Sanchez-Heredia, Jan R. Petersen, et al.
IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems 12 (1) 202 (2018)
DOI: 10.1109/TBCAS.2017.2776256
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Neutral base recombination and its influence on the temperature dependence of Early voltage and current gain-Early voltage product in UHV/CVD SiGe heterojunction bipolar transistors

A.J. Joseph, J.D. Cressler, D.M. Richey, R.C. Jaeger and D.L. Harame
IEEE Transactions on Electron Devices 44 (3) 404 (1997)
DOI: 10.1109/16.556150
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SiGe Integrated Circuit Developments for SQUID/TES Readout

D. Prêle, F. Voisin, C. Beillimaz, et al.
Journal of Low Temperature Physics 193 (3-4) 455 (2018)
DOI: 10.1007/s10909-018-1886-3
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