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Citations de cet article :

In situ TEM study of dislocation mobility in semiconducting materials

F. Louchet, J. Pelissier, D. Caillard, et al.
Microscopy Microanalysis Microstructures 4 (2-3) 199 (1993)
DOI: 10.1051/mmm:0199300402-3019900
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Mobility of Partial Dislocations in ZnS and the Cathodoplastic Effect

A. Faress, S. Farenc, C. Levade and G. Vanderschaeve
Physica Status Solidi (a) 137 (2) 435 (1993)
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Electrical-stress driven oxidation in 940 nm oxide-confined VCSEL

Michael Pusterhofer, Robert Fabbro, Raffaele A Coppeta, Gernot Fasching and Peter Hadley
Semiconductor Science and Technology 37 (1) 015010 (2022)
DOI: 10.1088/1361-6641/ac3c99
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