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Application des réseaux de neurones à la modélisation des réacteurs de LPCVD: dépôt de silicium dopé in situ au bore

K. Fakhr-Eddine, M. Cabassud, M.V. Lann and J.P. Couderc
Chemical Engineering Journal 72 (2) 171 (1999)
DOI: 10.1016/S1385-8947(98)00153-3
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Thermal and kinetic modelling of low-pressure chemical vapour deposition hot-wall tubular reactors

C. Azzaro, P. Duverneuil and J.P. Couderc
Chemical Engineering Science 47 (15-16) 3827 (1992)
DOI: 10.1016/0009-2509(92)85132-U
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Influence of dopant concentration and type of substrate on the local organization of low-pressure chemical vapour deposition in situ boron doped silicon films from silane and boron trichloride

B. Caussat, E. Scheid, B. de Mauduit and R. Berjoan
Thin Solid Films 446 (2) 218 (2004)
DOI: 10.1016/j.tsf.2003.10.010
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