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Article cité :
A. Mercha , J.M. Rafi , E. Simoen , E. Augendre , C. Claeys
J. Phys. IV France, 12 3 (2002) 61-64
Citations de cet article :
5 articles
Impact of gate tunneling floating-body charging on drain current transients of 0.10 μm-CMOS partially depleted SOI MOSFETs
J.M. Rafı́, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys Solid-State Electronics 48 (7) 1211 (2004) https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.003
Impact of the high vertical electric field on low-frequency noise in thin-gate oxide MOSFETs
A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys IEEE Transactions on Electron Devices 50 (12) 2520 (2003) https://doi.org/10.1109/TED.2003.820121
Electron valence-band tunneling-induced Lorentzian noise in deep submicron silicon-on-insulator metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
N. B. Lukyanchikova, M. V. Petrichuk, N. Garbar, et al. Journal of Applied Physics 94 (7) 4461 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1604452
Low-frequency noise overshoot in ultrathin gate oxide silicon-on-insulator metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
A. Mercha, E. Simoen, H. van Meer and C. Claeys Applied Physics Letters 82 (11) 1790 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1561575
"Linear kink effect" induced by electron valence band tunneling in ultrathin gate oxide bulk and SOI MOSFETs
A. Mercha, J.M. Rafi, E. Simoen, E. Augendre and C. Claeys IEEE Transactions on Electron Devices 50 (7) 1675 (2003) https://doi.org/10.1109/TED.2003.814983