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Article cité :

Preparation and characterization of HfO₂ thin films by photo-assisted MOCVD

T. Kanashima, T. Tada, M. Okuyama

J. Phys. IV France, 132 (2006) 279-283

Publié en ligne : 2006-03-11

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2006132053

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Citations de cet article :

Effect of substrate bias and oxygen partial pressure on properties of RF magnetron sputtered HfO2 thin films

Sk. Maidul Haque, Pankaj R. Sagdeo, Shanmugam Balaji, et al.
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 32 (3) (2014)
https://doi.org/10.1116/1.4825234

Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface

Hyun Lee, Dong Hun Lee, Takeshi Kanashima and Masanori Okuyama
Applied Surface Science 254 (21) 6932 (2008)
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.04.110

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF HAFNIUM SILICATE DIELECTRIC LAYERS BY PHOTO-ASSISTED MOCVD USING MIXED PRECURSOR OF Hf(O-t-C4H9)4 AND Si(O-t-C4H9)4

Hyun Lee, Takeshi Kanashima and Masanori Okuyama
Integrated Ferroelectrics 97 (1) 103 (2008)
https://doi.org/10.1080/10584580802088868