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Nucleation of SiC nanocrystals at the Si/SiO₂ interface: Effect of the interface properties

A. Pongrácz, G. Battistig, A.L. Tóth, Zs. Makkai, Cs. Dücső, K.V. Josepovits, I. Bársony

J. Phys. IV France, 132 (2006) 133-136

Publié en ligne : 2006-03-11

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2006132026

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Citations de cet article :

Enhancement of the core near-band-edge emission induced by an amorphous shell in coaxial one-dimensional nanostructure: the case of SiC/SiO2core/shell self-organized nanowires

Filippo Fabbri, Francesca Rossi, Giovanni Attolini, et al.
Nanotechnology 21 (34) 345702 (2010)
https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/34/345702

An O18 study of the interaction between carbon monoxide and dry thermal SiO2 at 1100 °C

Catherine Deville Cavellin, Isabelle Trimaille, Jean-Jacques Ganem, et al.
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https://doi.org/10.1063/1.3072679

Structural and electronic properties of Si/SiO2 MOS structures with aligned 3C–SiC nanocrystals in the oxide

A. Pongrácz, G. Battistig, Cs. Dücső, K.V. Josepovits and P. Deák
Materials Science and Engineering: C 27 (5-8) 1444 (2007)
https://doi.org/10.1016/j.msec.2006.06.013