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Article cité :

Synthesis of GaN particles in porous matrices by chemical vapor infiltration of single molecule precursors

H. Parala, A. Devi, W. Rogge, A. Birkner, R.A. Fischer

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-473-Pr3-479

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2001360

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Citations de cet article :

Formation of GaN Nanorods in Monodisperse Spherical Mesoporous Silica Particles

E. Yu. Stovpiaga, D. A. Kurdyukov, D. A. Kirilenko and V. G. Golubev
Semiconductors 54 (7) 782 (2020)
https://doi.org/10.1134/S106378262007012X

Non aqueous loading of the mesoporous siliceous MCM-48 matrix with ZnO: a comparison of solution, liquid and gas-phase infiltration using diethyl zinc as organometallic precursor

Felicitas Schr?der, Stephan Hermes, Harish Parala, et al.
Journal of Materials Chemistry 16 (35) 3565 (2006)
https://doi.org/10.1039/b606814f

Solution routes to III–V semiconductor quantum dots

Mark Green
Current Opinion in Solid State and Materials Science 6 (4) 355 (2002)
https://doi.org/10.1016/S1359-0286(02)00028-1