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Article cité :

Nucleation and growth of silicon on ceramic substrates by RTCVD at atmospheric pressure

A. Slaoui, S. Bourdais

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-301-Pr3-306

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2001338

PDF (1.329 MB)

Citations de cet article :

Polycrystalline Silicon Films on SiO₂ Substrate Treated by Excimer Laser Annealing

Chun Yan Duan, Bin Ai, Rong Xue Li, et al.
Advanced Materials Research 750-752 946 (2013)
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.750-752.946

Epitaxial Growth of Silicon Films on SiO2Patterned Si(100) Substrates by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

Chunyan Duan, Youjun Deng, Bin Ai, et al.
Japanese Journal of Applied Physics 51 (9S2) 09MA02 (2012)
https://doi.org/10.7567/JJAP.51.09MA02