H-termination effects on initial growth characteristics of W on Si using WF6 and SiH4 gases
J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-431-Pr8-436
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Understanding inherent substrate selectivity during atomic layer deposition: Effect of surface preparation, hydroxyl density, and metal oxide composition on nucleation mechanisms during tungsten ALD
Paul C. Lemaire, Mariah King and Gregory N. ParsonsThe Journal of Chemical Physics 146 (5) (2017)
https://doi.org/10.1063/1.4967811