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Amorphous SiGe deposition by LPCVD from Si₂H₆ and GeH₄ precursors

J. Olivares, J. Sangrador, A. Rodríguez, T. Rodríguez

J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-321-Pr8-325

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1999839

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Citations de cet article :

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Mixed silicon–germanium clusters, SixGeyHz, in the gas phase by flash pyrolysis of silane and germane

Jessy M. Lemieux, Steven D. Chambreau and Jingsong Zhang
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Nucleation site location and its influence on the microstructure of solid-phase crystallized SiGe films

A. Rodrı́guez, T. Rodrı́guez, J. Olivares, et al.
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Influence of The Alloy Composition on The Thermodynamic Parameters of Nucleation and Growth of SiGe

J. Olivares, A. Rodríguez, J. Sangrador, et al.
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