Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

LOW-TEMPERATURE SILICON AND GERMANIUM CVD IN ULTRACLEAN ENVIRONMENT

J. MUROTA, M. KATO, R. KIRCHER, S. ONO

J. Phys. IV France, 02 C2 (1991) C2-795-C2-802

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1991293

PDF (1.233 MB)

Citations de cet article :

Christian Walk, Alexander Netaev, Matthias Wiemann, Michael Gortz, Holger Vogt, Wilfried Mokwa and Karsten Seidl
1862 (2019)
https://doi.org/10.1109/TRANSDUCERS.2019.8808725

Epitaxial growth of germanium thin films on crystal silicon substrates by solid phase crystallization

Masao Isomura and Mikuri Kanai
Japanese Journal of Applied Physics 54 (4S) 04DR08 (2015)
https://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DR08

Growth of Ge Homoepitaxial Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using t-C4H9GeH3

Kohei Suda, Takahiro Kijima, Seiya Ishihara, et al.
ECS Journal of Solid State Science and Technology 4 (5) P152 (2015)
https://doi.org/10.1149/2.0191505jss

Junichi MUROTA and Masao SAKURABA
Shinku 48 (1) 8 (2005)
https://doi.org/10.3131/jvsj.48.8

Atomic-layer etching of Ge using an ultraclean ECR plasma

Takayuki Sugiyama, Takashi Matsuura and Junichi Murota
Applied Surface Science 112 187 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)01026-4

Low-temperature Si/Si1−xGex/Si heterostructure growth at high Ge fractions by low-pressure chemical vapor deposition

Reiner Schütz, Junichi Murota, Takahiro Maeda, et al.
Applied Physics Letters 61 (22) 2674 (1992)
https://doi.org/10.1063/1.108105