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Article cité :

LOW-TEMPERATURE EPITAXY AND IN-SITU DOPING OF SILICON FILMS

R. KIRCHER, M. FURUNO, J. MUROTA, S. ONO

J. Phys. IV France, 02 C2 (1991) C2-787-C2-794

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1991292

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Citations de cet article :

Langmuir-Type Mechanism for In-Situ Doping in CVD Si and Si1−xGex Epitaxial Growth

Junichi Murota and Hiromu Ishii
ECS Journal of Solid State Science and Technology 10 (2) 024005 (2021)
https://doi.org/10.1149/2162-8777/abd884