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J. Phys. IV France
Volume 12, Numéro 2, avril 2002
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Page(s) | 165 - 174 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp420020023 |
J. Phys. IV France 12 (2002) Pr2-165
DOI: 10.1051/jp420020023
Propriétés optiques du silicium mésoporeux et ses applications potentielles
C. Lévy-Clément and S. BastideLaboratoire de Chimie Métallurgique des Terres Rares, CNRS, 2-8 rue Henri Dunant, 94320 Thiais, France
Résumé
Une couche de silicium poreux formée électrochimiquement à la surface de l'émetteur d'une jonction p-n+ peut jouer efficacement
le rôle d'une couche antireflet pour les cellules solaires au silicium. En ajustant la densité de courant et le temps de formation,
des simple et double-couches antireflet aux propriétés optiques optimisées ont pu être réalisées, conduisant à des réflectivités
effectives respectives de 7.3 et 2.7 % sur l'ensemble du spectre solaire utile pour les cellules (400-1000 nm). De hauts rendements
de conversion de l'énergie solaire, de l'ordre de 13-13.4 %, sont ainsi actuellement obtenus pour des cellules au silicium
multicristallin avec une couche antireflet de silicium poreux.
© EDP Sciences 2002