Journal de Physique IV

Simulation of Epitaxial Silicon Chemical Vapor Deposition in Barrel Reactors

M. Masi, S. Fogliani et S. Carrà

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-261-C5-268

DOI: 10.1051/jphyscol:1995530

M. Masi

S. Fogliani

S. Carrà

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