Journal de Physique IV

Authentification abonné

Mon compte EDPS

Rechercher

Influence of crystal quality on electron mobility in AlGaN/GaN HEMTs grown on Si(111), SiC and GaN templates

Y. Cordier, P. Lorenzini, M. Hugues, F. Semond, F. Natali, Z. Bougrioua, J. Massies, E. Frayssinet, B. Beaumont, P. Gibart et J.-P. Faurie

J. Phys. IV France, 132 (2006) 365-368

Publié en ligne : 11 mars 2006

DOI: 10.1051/jp4:2006132070

Y. Cordier

P. Lorenzini

M. Hugues

F. Semond

F. Natali

Z. Bougrioua

J. Massies

E. Frayssinet

B. Beaumont

P. Gibart

J.-P. Faurie

articles ayant parmi leurs auteurs TOUS les auteurs sélectionnés (ET)

articles ayant parmi leurs auteurs AU MOINS un auteur identique à ceux sélectionnés (OU)