Journal de Physique IV

X-ray photoelectron spectroscopy study of silicon interlayer based surface passivation for AlGaAs/GaAs quantum structures on (111) B surfaces

M. Akazawa, N. Shiozaki et H. Hasegawa

J. Phys. IV France, 132 (2006) 95-99

Publié en ligne : 11 mars 2006

DOI: 10.1051/jp4:2006132019

M. Akazawa

N. Shiozaki

H. Hasegawa

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