Journal de Physique IV

Characterization and stressing properties of polysilicon TFTs utilizing oxide films deposited using TEOS

D.N. Kouvatsos, V.Em. Vamvakas et D. Davazoglou

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-1037-Pr3-1044

DOI: 10.1051/jp4:20013130

D.N. Kouvatsos

V.Em. Vamvakas

D. Davazoglou

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