Journal de Physique IV

Chemical vapor deposition of silicon carbide at various temperatures and surface area/volume ratios

W.G. Zhang et K.J. Hüttinger

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-55-Pr3-62

DOI: 10.1051/jp4:2001307

W.G. Zhang

K.J. Hüttinger

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