Journal de Physique IV

Direct wafer bonding : A new fabrication method for ferroelectric-silicon heterostructures

M. Alexe, R. Scholz, G. Kästner, A. Pignolet et U. Gösele

J. Phys. IV France, 08 PR9 (1998) Pr9-239-Pr9-242

DOI: 10.1051/jp4:1998946

M. Alexe

R. Scholz

G. Kästner

A. Pignolet

U. Gösele

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