Journal de Physique IV

I-V and small signal parameters modelling of ultrasubmicron MOSFETs including the significant electron-velocity overshoot effects, which are enhanced at low temperature

J.B. Roldán, F. Gámiz, J.A. López-Villanueva et J.E. Carceller

J. Phys. IV France, 08 PR3 (1998) Pr3-21-Pr3-24

DOI: 10.1051/jp4:1998305

J.B. Roldán

F. Gámiz

J.A. López-Villanueva

J.E. Carceller

articles ayant parmi leurs auteurs TOUS les auteurs sélectionnés (ET)

articles ayant parmi leurs auteurs AU MOINS un auteur identique à ceux sélectionnés (OU)