Journal de Physique IV

Low-temperature epitaxial growth of in-situ B-doped Si_1-xGe_x films

J. MUROTA, F. HONMA, T. YOSHIDA, K. GOTO, T. MAEDA, K. AIZAWA et Y. SAWADA

J. Phys. IV France, 03 C3 (1993) C3-427-C3-432

DOI: 10.1051/jp4:1993359

J. MUROTA

F. HONMA

T. YOSHIDA

K. GOTO

T. MAEDA

K. AIZAWA

Y. SAWADA

articles ayant parmi leurs auteurs TOUS les auteurs sélectionnés (ET)

articles ayant parmi leurs auteurs AU MOINS un auteur identique à ceux sélectionnés (OU)