Journal de Physique IV

Elaboration of in situ phosphorus doped polysilicon films under LPCVD conditions : process modelling and characterization

A. TOUNSI, E. SCHEID, C. AZZARO, P. DUVERNEUIL et J.P. COUDERC

J. Phys. IV France, 03 C3 (1993) C3-123-C3-130

DOI: 10.1051/jp4:1993315

A. TOUNSI

E. SCHEID

C. AZZARO

P. DUVERNEUIL

J.P. COUDERC

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