Journal de Physique IV

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INFLUENCE OF H₂ PARTIAL PRESSURE ON THE MORPHOLOGY AND CRYSTALLIZATION OF SiC LAYERS OBTAINED BY LPCVD USING TETRAMETHYLSILANE

A. FIGUERAS, R. RODRIGUEZ-CLEMENTE, S. GARELIK, J. SANTISO, B . ARMAS, C. COMBESCURE, A. MAZEL, Y. KIHN et J. SÉVELY

J. Phys. IV France, 02 C2 (1991) C2-225-C2-232

DOI: 10.1051/jp4:1991228

A. FIGUERAS

R. RODRIGUEZ-CLEMENTE

S. GARELIK

J. SANTISO

B . ARMAS

C. COMBESCURE

A. MAZEL

Y. KIHN

J. SÉVELY

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