Thermal stability of Gd2O3/Si(100)
interfacial transition layer
H. Nohira, T. Yoshida, H. Okamoto, S. Shinagawa, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Ng Jin Aun, Y. Kobayashi, S. Ohmi, H. Iwai, E. Ikenaga, Y. Takata, K. Kobayashi et T. Hattori
J. Phys. IV France, 132 (2006) 273-277
DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2006132052
