Nucleation of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: Effect of the interface properties A. Pongrácz, G. Battistig, A.L. Tóth, Zs. Makkai, Cs. Dücső, K.V. Josepovits et I. BársonyJ. Phys. IV France, 132 (2006) 133-136DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2006132026
