Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al2O3(0001) par ablation laser réactive D. Ohlmann, J. L. Deiss, J. L. Loison, M. Robino et G. VersiniJ. Phys. IV France, 10 PR10 (2000) Pr10-275-Pr10-280DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:20001030
