Direct wafer bonding : A new fabrication method for ferroelectric-silicon heterostructures M. Alexe, R. Scholz, G. Kästner, A. Pignolet et U. GöseleJ. Phys. IV France, 08 PR9 (1998) Pr9-239-Pr9-242DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1998946
